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Längere Betriebsdauer für Handys

Indem Motorola seine Silizium-Germanium-Carbon-Technologie (SiGe:C) für drahtlose Kommunikationsgeräte weiter verbessert, trägt das Unternehmen dem wachsenden Kundenwunsch nach tragbaren Geräten mit niedrigem Stromverbrauch Rechnung.

Monterey, Kalifornien - Die neueste von Motorola vorgenommene Leistungssteigerung seiner auf einem BiCMOS-Prozess basierenden 0,18µ und 0,35µ SiGe:C HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor) wird für eine längere Spieldauer pro Batterieladung sorgen, was in längeren Betriebszeiten für tragbare Produkte, wie zum Beispiel Handys, resultiert. Durch eine Optimierung der Transistorbauweise lässt sich die Stromaufnahme um den Faktor vier reduzieren, und im Vergleich mit dem aktuellen Prozess kann eine 60%ige Leistungssteigerung bei maximaler Betriebsfrequenz erreicht werden.

Vida Ilderem"Unser umfassendes Spektrum von passiven Komponenten, unsere MOS-Schaltungen für analoge und Hochfrequenzfunktionen und unser optimiertes Silizium-Germanium-Carbon sind so konzipiert, dass sie die Entwicklung neuer Produkte ermöglichen und bei existierenden Anwendungen für eine verringerte Stromaufnahme sorgen", erläuterte Dr. Vida Ilderem, der für HF/ZF-Siliziumtechnologien verantwortliche Direktor bei Motorola. "Durch ihren hohen Integrationsgrad und ihre niedrigen Kosten ist diese Technologie für den Einsatz in Handys äußerst attraktiv."

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Silizium-Germanium erlaubt die Integration einer Vielzahl von Funktionen auf einem einzigen Chip. Dieser optimierte Prozess zur Chipherstellung hilft, den Strombedarf zu verringern, und zwar bei gleichzeitiger Steigerung der Leistungsdaten. Der Motorola-Prozess integriert leistungsfähige HBTs zusammen mit analogen und digitalen CMOS-Funktionen auf einem einzigen Chip. Da die Entwicklung auf existierenden Technologieplattformen durchgeführt wurde, können Entwickler die existierenden Modelle, Bibliotheken und Standardzellen-Konzepte für die 0,18µ und 0,35µ BiCMOS-Prozesse weiter nutzen.

Die Grenzfrequenzen konnten von 50 GHz auf 80 GHz (0,35µ BiCMOS) bzw. 120 GHz (0,18µ BiCMOS) gesteigert werden, bei gleichzeitiger Reduzierung der minimalen Rauschzahl von 0,9 dB auf 0,3 dB. Diese Leistungsdaten wurden durch eine vertikale und laterale Skalierung der Transistoren realisiert.

Längere Betriebszeiten für Handys"Die deutlichen Verbesserungen bei Stromaufnahme und HF-Rauschen treiben die Funktionalität einer ohnehin eine Spitzenposition einnehmenden Technologie weiter nach vorne", erklärte Behrooz Abdi, Vice President und General Manager der Radio Products Division von Motorola. "Das sind die dominierenden Faktoren für den Handymarkt. Wir beabsichtigen, unsere existierenden und zukünftigen Kunden in die Lage zu versetzen, die Handybranche sowie den Markt für Wireless LANs und GPS mit erstklassigen Produkten zu versorgen, die einen Integrationsgrad ohnegleichen aufweisen."

Motorola hat mehrere auf dem 0,35µ SiGe:C-Prozess der ersten Generation basierende Produkte eingeführt, darunter auch den HF-Teil seiner i.250 Innovative Convergence™ Mobilfunk-Plattform. Der 0,18µ Prozess wurde im ersten Quartal 2002 qualifiziert, Produkte sind für Anfang 2003 geplant.

Quelle: Motorola

Über Motorola:  

Motorola, Inc. (NYSE:MOT) ist ein weltweit bei integrierten Kommunikationssystemen und integrierter Elektronik führendes Unternehmen. Der Umsatz im Jahr 2001 lag bei $30 Milliarden.

Motorola-Handys finden Sie auch bei uns im Online-Shop.

eingesandt von: Terhi Varkila am 09.10.2002 12:07 Uhr

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