Philips: Kleinere, leichtere und leistungsfähigere mobile Geräte

Royal Philips Electronics hat eine neue Produktreihe an N-Kanal-MOSFETs im TSOP6-Gehäuse (Thin Small Outline Package 6 ) angekündigt, die auf der innovativen µTrenchMOSTM-Technologie basiert. Mit einem Footprint von nur 9,3 mm2 - kleiner als ein Streichholzkopf - ermöglichen die µTrenchMOS-TSOP6-Bausteine die Herstellung kleinerer, leichterer und leistungsfähigerer mobiler Geräte, wie z. B. PDAs, Notebooks, sowie Haushaltsgeräte wie Rasierapparate und elektrische Zahnbürsten.

Die neuen TrenchMOS-TSOP6-Bausteine bieten eine niedrige On-Widerstand Rds(on) und sind mit den Nennwerten von 30V, 20V und 12V Vds lieferbar. Je niedriger der Rds(on) eines MOSFETs ist, desto weniger Verlustleistung hat das Produkt. Dadurch wird die Batterielebensdauer erhöht. Das TSOP6 bietet ausgezeichnete thermische und elektrische Qualitäten. Damit werden verringerte Verlustleistungen - von bis zu 1,4W - sowie niedrigere Betriebstemperaturen erzielt.

Anzeige

"Da in mobile Hochleistungsgeräte wie Handys, Laptops und PDAs mehr Funktionalitäten und Rechenleistung integriert wird, steht immer weniger Platz für Schlüsselkomponenten zur Verfügung. Die Designer müssen kleinere Siliziumlösungen finden, die bessere Power-Kapazitäten und vergleichbare Leistungsstandards aufweisen", erläutert Ian Moulding, International Product Marketing Manager für Power bei Philips Semiconductors. "Die Einführung der µTrenchMOS-Produktpalette verbindet die etablierte TrenchMOS-Technologie von Philips mit der Expertise zur Herstellung kleiner Gehäuse und bietet den Designern so eine einfache Lösung für ihre Power- und Designanforderungen."

µTrenchMOS-Produkte können als Ersatz für Bausteine mit größeren Gehäusen in eine ganze Palette von Applikationen, oder in völlig neue Designs, integriert werden. Muster des TSOP6 sind ab sofort verfügbar.

Weitere µTrenchMOS-Produktankündigungen für TSSOP8, SC70 und SC88 erfolgen im 4. Quartal 2002.
 
Quelle: Philips